APT802R8BN-BUTT datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ

• Маркировка
  APT802R8BN-BUTT
• Производитель
  Microsemi Corporation
• Описание
  Microsemi Corporation APT802R8BN-BUTT Package Shape: RECTANGULAR Package Style: FLANGE MOUNT Terminal Form: THROUGH-HOLE Terminal Position: SINGLE Number of Terminals: 3 Package Body Material: PLASTIC/EPOXY Configuration: SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Case Connection: DRAIN Number of Elements: 1 Transistor Element Material: SILICON Channel Type: N-CHANNEL FET Technology: METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR Operating Mode: ENHANCEMENT Transistor Type: GENERAL PURPOSE POWER Drain Current-Max (ID): 5 A DS Breakdown Voltage-Min: 800 V Drain-source On Resistance-Max: 2.8 ohm Pulsed Drain Current-Max (IDM): 20 A
• Количество страниц
  4 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet APT802R8BN-BUTT.pdf
Файл формата Pdf 166,74 KB